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廣東佳訊電子 MLS03N04A 40V/3A N溝道MOSFET產(chǎn)品描述

發(fā)布時(shí)間:

2025-03-12


產(chǎn)品概述
MLS03N04A 是一款采用先進(jìn)溝槽型低壓(LV)MOSFET技術(shù)的N溝道功率器件,具備40V耐壓與3A連續(xù)電流能力。其通過(guò)高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)支持高速開(kāi)關(guān),適用于高效電源管理與負(fù)載控制場(chǎng)景。產(chǎn)品采用SOT-23封裝,符合工業(yè)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。


核心特性

  • 高性能參數(shù)

    • 耐壓與電流能力

      • 漏源電壓(VDS):40V(最大值)

      • 連續(xù)漏極電流(ID):3A(VGS=10V,TC=25℃)

      • 脈沖漏極電流(IDM):12A(TC=25℃)

    • 超低導(dǎo)通電阻

      • RDS(ON):65mΩ(VGS=10V,ID=2.5A) / 95mΩ(VGS=4.5V,ID=1.5A)

    • 高速開(kāi)關(guān)特性

      • 開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間:4.2ns(導(dǎo)通) / 7.9ns(關(guān)斷)

      • 總柵極電荷(Qg):5.5nC(VDS=10V,ID=3A)

  • 電氣可靠性

    • 柵源耐壓(VGS):±20V(最大值)

    • 漏源擊穿電壓(BV DSS):40V(VGS=0V,ID=250μA)

    • 低漏電流:

      • 零柵壓漏電流(IDSS):<1μA(VDS=40V)

      • 柵極漏電流(IGSS):±100nA(VGS=±20V)

  • 溫度適應(yīng)性

    • 工作結(jié)溫(TJ):-50℃ ~ 150℃

    • 熱阻(RθJA):150℃/W(基于1平方英寸2盎司銅焊盤(pán))


應(yīng)用領(lǐng)域

  • 電池保護(hù):鋰電池組充放電管理

  • 電源管理:DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • 工業(yè)控制:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器替代

  • 消費(fèi)電子:便攜設(shè)備電源模塊、USB供電控制


封裝與訂購(gòu)

  • 封裝類(lèi)型:SOT-23(緊湊型貼片封裝,尺寸詳見(jiàn)規(guī)格書(shū))

  • 包裝規(guī)格

    • 最小包裝:3,000顆/卷帶

    • 整箱數(shù)量:180,000顆

  • 型號(hào)標(biāo)識(shí):MLS03N04A(封裝標(biāo)記“4003”)


產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

  • 高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率。

  • 快速響應(yīng):納秒級(jí)開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻電路設(shè)計(jì)。

  • 高可靠性:寬溫度范圍與工業(yè)級(jí)耐壓設(shè)計(jì),適配嚴(yán)苛環(huán)境。

  • 緊湊設(shè)計(jì):SOT-23封裝節(jié)省PCB空間,支持高密度布局。


適用場(chǎng)景
廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、新能源設(shè)備及便攜式產(chǎn)品的電源管理模塊,是優(yōu)化能效與空間利用的理想解決方案。


 

關(guān)鍵詞:

MOS管,消費(fèi)電子,工業(yè)自動(dòng)化

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